浙江海鹽真空泵回收 浙江海鹽單晶爐回收
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本文從晶體生長物理基礎(chǔ)和流體力學(xué)的基本理論出發(fā),結(jié)合硅單晶制備過程中熱質(zhì)輸運的分析,采用實驗和數(shù)值分析相結(jié)合的方法,以大直徑硅單晶制備為主要研究對象,研究熱場結(jié)構(gòu)、控制參數(shù)和外加磁場對大直徑硅單晶生長的影響。通過數(shù)值分析的手段,研究了結(jié)構(gòu)參數(shù)和控制參數(shù)對晶體生長特性的影響,確定了晶體制備的工藝條件;采用28inch和32inch熱場制備出400mm和45 藍(lán)寶石長晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長晶爐回收，多晶長晶爐回收，臥式長晶爐回收，拉式單晶爐、收購直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，一種實用的單晶爐提拉速度控制系統(tǒng)\前言半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)材料 ,在半導(dǎo)體材料中用量和用途廣的是半導(dǎo)體硅。當(dāng)今 95 %以上的半導(dǎo)體器件是用硅材料制造的 ,99%以上的集成電路是硅集成電路。生產(chǎn)集成電路所需要的單晶硅 ,是在硅結(jié)晶生長開始時 ,用低速提拉、生長過程均速提拉的辦法制成的。提拉速度的控制性能將直接影響到晶體的質(zhì)量。當(dāng)今 ,隨著 IT產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展 ,單晶硅生產(chǎn)市場需求劇,研制一種滿足工藝要求、低成本的提拉速度控制系統(tǒng)具有重要的實際意義。

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所述氣流導(dǎo)向裝置20的中軸孔2-1與該爐的石墨中軸21活 動密封連接，以防止因該中軸孔2-1與石墨中軸21之間的間隙而漏氣，影 響排氣效果，氣流導(dǎo)向裝置20的電極孔2-2分別與該爐的電極柱15密封連 接，以防止因該電極孔2-2與電極柱15之間的間隙而漏氣，影響排氣效果。所述氣流導(dǎo)向裝置20的上端部2-4的外壁與該爐的保溫 筒17密封連接，以防止因氣流導(dǎo)向裝置20的上端部2-4的外壁與該爐的 保溫筒17之間的間隙而漏氣，影響排氣效果。所述氣流導(dǎo)向裝置20各通氣孔2-3與該爐的排氣口 13通過通 氣管19相連通，以提高排氣效果。所述氣流導(dǎo)向裝置20由石墨制成，石墨具有強度高、抗熱震性好、耐 高溫、抗氧化、電阻系數(shù)小、耐腐蝕、易于精密機加工等優(yōu)點。