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直拉法，也叫切克勞斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克勞斯基建立的一種晶體生長方法，用直拉法生長單晶的設(shè)備和工藝比較簡單，容易實現(xiàn)自動控制，生產(chǎn)，易于制備大直徑單晶，容易控制單晶中雜質(zhì)濃度，可以制備低電阻率單晶。據(jù)統(tǒng)計，世界上硅單晶的產(chǎn)量中70%～80%是用直拉法生產(chǎn)的。藍(lán)寶石長晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長晶爐回收，多晶長晶爐回收，臥式長晶爐回收，拉式單晶爐、收購直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，為現(xiàn)有技術(shù)的切克勞斯基(直拉)法制造硅單晶的直拉式單晶生長 爐的剖面結(jié)構(gòu)示意圖2為圖1中的輸入管與環(huán)形氣體分布器的結(jié)構(gòu)示意圖3為實施例1中直拉式單晶生長爐的氣流導(dǎo)向裝置的結(jié)構(gòu)示意圖4為圖3的A-A剖面視圖5為為圖3的B-B剖面視圖6為實施例1中直拉式單晶生長爐的剖面結(jié)構(gòu)示意圖7為實施例1中直拉式單晶生長爐的另一剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

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單晶爐真空系統(tǒng)的除塵技術(shù)為便于分析研究起見，將整個除塵過程分為有聯(lián)系而又有區(qū)別的如下三個過程。捕集分離過程該過程可分為捕集推移階段和分離階段。 捕集推移階段　均勻混合或懸浮在氣體中的粉塵進(jìn)入除塵器的除塵空間，根據(jù)不同的除塵器類型經(jīng)受不同的外力作用，將粉塵推移到分離界面。隨著粉塵向分離界面推移，濃度也越來越大，故捕集推移階段實質(zhì)也是粉塵濃縮的階段。分離階段　高濃度的塵流向分離界面以后，有兩種機(jī)理在起作用：氣體運(yùn)載粉塵的能力將達(dá)到極限狀態(tài)，懸浮與沉降這對矛盾中，沉降成為主要方面，通過沉降，粉塵從氣體中分離出來。極限狀態(tài)的影響因素一般與氣流速度及邊壁的邊界條件有關(guān)。