DRAM特點(diǎn)如下： ●存儲(chǔ)原理：利用MOS管柵極電容可以存儲(chǔ)電荷的原理，需刷新（早期：三管基本單元；之后：?jiǎn)喂芑締卧?●刷新（再生）：為及時(shí)補(bǔ)充漏掉的電荷以避免存儲(chǔ)的信息丟失，定時(shí)給柵極電容補(bǔ)充電荷的操作。 ●刷新時(shí)間：定期進(jìn)行刷新操作的時(shí)間。該時(shí)間小于柵極電容自然保持信息的時(shí)間（小于2ms）。 ●優(yōu)點(diǎn)： 集成度遠(yuǎn)SRAM、功耗低，價(jià)格也低。 [8] ●缺點(diǎn)：因需刷新而使外圍電路復(fù)雜；刷新也使存取速度較SRAM慢，所以在計(jì)算機(jī)中，DRAM常用于作主存儲(chǔ)器。 盡管如此，由于DRAM存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，所用元件少，集成度高，功耗低，所以已成為大容量RAM的主流產(chǎn)品。

在計(jì)算機(jī)中，RAM 、ROM都是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。RAM 是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它的特點(diǎn)是易揮發(fā)性，即掉電失憶。ROM 通常指固化存儲(chǔ)器（一次寫入，反復(fù)讀?。?，它的特點(diǎn)與RAM 相反。舉個(gè)例子來說也就是，如果突然停電或者沒有保存就關(guān)閉了文件，那么ROM可以隨機(jī)保存之前沒有儲(chǔ)存的文件但是RAM會(huì)使之前沒有保存的文件消失。

每一個(gè)網(wǎng)卡都有一個(gè)被稱為MAC地址的的48位串行號(hào)，它被寫在卡上的一塊ROM中。在網(wǎng)絡(luò)上的每一個(gè)計(jì)算機(jī)都擁有一個(gè)的MAC地址。

巨型幀肯定存在缺點(diǎn)。管理員對(duì)網(wǎng)絡(luò)中的所有節(jié)點(diǎn)進(jìn)行配置才能支持巨型幀的傳輸。巨型幀并不是IEEE標(biāo)準(zhǔn)的一部分，因此不同的網(wǎng)卡配置的巨型幀大小有所不同。為了在節(jié)點(diǎn)之間傳輸巨型幀要做一些實(shí)驗(yàn)。更大的數(shù)據(jù)包可能會(huì)增加某些負(fù)載的延遲，因?yàn)槠渌?jié)點(diǎn)要等更長(zhǎng)的時(shí)間才能使用帶寬，請(qǐng)求與發(fā)送被丟棄或者被破壞的數(shù)據(jù)包也需要花更長(zhǎng)的時(shí)間。

DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫，即同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系，因此對(duì)于內(nèi)存廠商而言，只需對(duì)制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進(jìn)，即可實(shí)現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn)，可有效的降低成本。

存儲(chǔ)器的種類很多，按其用途可分為主存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)器，主存儲(chǔ)器又稱內(nèi)存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱內(nèi)存），存儲(chǔ)器又稱外存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱外存）。外存通常是磁性介質(zhì)或光盤，像硬盤，軟盤，磁帶，CD等，能長(zhǎng)期保存信息，并且不依賴于電來保存信息，但是由機(jī)械部件帶動(dòng)，速度與CPU相比就顯得慢的多。