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單晶爐真空系統(tǒng)的除塵技術/單晶爐是單晶體生長設備。單晶體生長要求在真空和惰性氣體中進行。真空裝置應能保爐體內熱真空度達5×1024mm 柱以上。如果使用惰性氣體作保護氣氛，爐體上、下都設有進出氣的氣口。生長單晶體時，抽真空及真空裝置注入惰性氣體后都需配備除塵裝置。西安理工大學工廠生產的混合式除塵器較好地解決了這一問題。本廠單晶爐系列：TDR262A (B)、TDR280、TDR270A 等多種爐型近百臺產品都使用這種除塵器。實踐明，它的主要優(yōu)點是除塵，能適應不同抽氣階段真空度的要求，容塵量大。其具體結構見圖2、圖3。該除塵器綜合運用離心力、慣性碰撞、接觸阻留、擴散這幾種除塵機理。藍寶石長晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長晶爐回收，多晶長晶爐回收，臥式長晶爐回收，拉式單晶爐、收購直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，如果圓柱體放在線圈，那么圓柱體周邊的溫度是一樣的，圓柱體加熱和熔化也沒有產生有害氣體、強光污染環(huán)境。中頻爐廣泛用于有色金屬的熔煉[主要用在熔煉鋼、合金鋼、特種鋼、鑄鐵等黑色金屬材料以及不銹鋼、鋅等有色金屬材料的熔煉，也可用于銅、鋁等有色金屬的熔煉和升溫，保溫，并能和高爐進行雙聯(lián)運行。]、
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生長Φ8“直拉硅單晶Φ8”熱場研究及數值模擬\隨著科學的飛速發(fā)展,出于提高生產率、降低成本的目的,器件廠家隨著生產規(guī)模的擴大逐步要求增大硅片直徑。硅單晶直徑增大后,大熔硅體積、嚴重的熱對流使單晶氧含量增大。晶體直徑的增大也使結晶潛熱的散發(fā)更加困難,結晶速率難以提高。為了解決這兩個問題,本文在國產TDR-80單晶爐的基礎上,對熱場進行了局部改造,施加了新型加強復合式熱屏。有限元法是一種能求得許多工程問題近似解的數值分析方法。由于拉單晶過程中投料量較大,爐體結構復雜、造價昂貴,所以拉晶實驗成本太高。
