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一種連續(xù)拉晶單晶爐背景技術(shù)：目前，大多數(shù)單晶爐都是采用一次性向主爐室坩堝投料的方法，通常是生產(chǎn)完一爐后，等單晶爐冷卻后，再往主爐室坩堝內(nèi)裝料，進(jìn)行下一次生產(chǎn)，這樣既浪費了時間，又造成了熱量的流失，且在拉晶棒的過程中，不能進(jìn)行補料操作，在拉晶棒的后期階段，會因為硅料中某些元素的揮發(fā)而影響晶棒后半部分的質(zhì)量。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種連續(xù)拉晶單晶爐，它可以連續(xù)加料、連續(xù)化料，從而實現(xiàn)連續(xù)拉晶，選用合適的主爐室坩堝可以實現(xiàn)連續(xù)拉制五六根晶棒，減少了冷卻、拆爐、裝爐的時間，提高了生產(chǎn)效率，也減少了熱量的流失。為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案是：一種連續(xù)拉晶單晶爐，它包括括底座、主爐室、副爐室、下驅(qū)動裝置和上驅(qū)動裝置，所述主爐室和下驅(qū)動裝置均安裝在底座上，藍(lán)寶石長晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長晶爐回收，多晶長晶爐回收，臥式長晶爐回收，拉式單晶爐、收購直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，權(quán)利要求1、一種直拉式單晶生長爐，包括設(shè)于該爐頂部并伸入爐內(nèi)的輸入管(12)、與輸入管(12)相連通的環(huán)形氣體分布器(11)；其特征在于經(jīng)輸入管(12)輸入的氣壓為0.8×10a0.9×10a，流量為30L/min。2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的直拉式單晶生長爐，其特征在于還包括 設(shè)于該爐的坩堝支持器(14)下方和該爐底部的排氣口 (13)之間的氣流 導(dǎo)向裝置(20);該氣流導(dǎo)向裝置(20)為碗形，其包括設(shè)于氣流導(dǎo)向裝 置(20)底部的中軸孔(2-1)、設(shè)于所述中軸孔(2-1)兩側(cè)的一對電 極孔(2-2)、以及設(shè)于所述中軸孔(2-1)兩側(cè)并與該爐的排氣口 (13)相 對的通氣孔(2-3);該爐的石墨中軸(21)

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本文從晶體生長物理基礎(chǔ)和流體力學(xué)的基本理論出發(fā),結(jié)合硅單晶制備過程中熱質(zhì)輸運的分析,采用實驗和數(shù)值分析相結(jié)合的方法,以大直徑硅單晶制備為主要研究對象,研究熱場結(jié)構(gòu)、控制參數(shù)和外加磁場對大直徑硅單晶生長的影響。通過數(shù)值分析的手段,研究了結(jié)構(gòu)參數(shù)和控制參數(shù)對晶體生長特性的影響,確定了晶體制備的工藝條件;采用28inch和32inch熱場制備出400mm和45