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存儲(chǔ)器是數(shù)字系統(tǒng)中用以存儲(chǔ)大量信息的設(shè)備或部件，是計(jì)算機(jī)和數(shù)字設(shè)備中的重要組成部分。存儲(chǔ)器可分為隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）和只讀存儲(chǔ)器（ROM）兩大類。

現(xiàn)代的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器依賴電容器存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。電容器充滿電后代表1（二進(jìn)制），未充電的代表0。由于電容器或多或少有漏電的情形，若不作特別處理，數(shù)據(jù)會(huì)漸漸隨時(shí)間流失。刷新是期讀取電容器的狀態(tài)，然后按照原來的狀態(tài)重新為電容器充電，彌補(bǔ)流失了的電荷。需要刷新正好解釋了隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的易失性。

DRAM特點(diǎn)如下：
●存儲(chǔ)原理：利用MOS管柵極電容可以存儲(chǔ)電荷的原理，需刷新（早期：三管基本單元；之后：單管基本單元）。 [8]
●刷新（再生）：為及時(shí)補(bǔ)充漏掉的電荷以避免存儲(chǔ)的信息丟失，定時(shí)給柵極電容補(bǔ)充電荷的操作。 [8]
●刷新時(shí)間：定期進(jìn)行刷新操作的時(shí)間。該時(shí)間小于柵極電容自然保持信息的時(shí)間（小于2ms）。 [8]
●優(yōu)點(diǎn)： 集成度遠(yuǎn)SRAM、功耗低，價(jià)格也低。 [8]
●缺點(diǎn)：因需刷新而使外圍電路復(fù)雜；刷新也使存取速度較SRAM慢，所以在計(jì)算機(jī)中，DRAM常用于作主存儲(chǔ)器。 [8]
盡管如此，由于DRAM存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)簡單，所用元件少，集成度高，功耗低，所以已成為大容量RAM的主流產(chǎn)品。

網(wǎng)卡是一塊被設(shè)計(jì)用來允許計(jì)算機(jī)在計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)上進(jìn)行通訊的計(jì)算機(jī)硬件。由于其擁有MAC地址，因此屬于OSI模型的第1層和2層之間。它使得用戶可以通過電纜或無線相互連接。

網(wǎng)卡上面裝有處理器和存儲(chǔ)器（包括RAM和ROM）。網(wǎng)卡和局域網(wǎng)之間的通信是通過電纜或雙絞線以串行傳輸方式進(jìn)行的。而網(wǎng)卡和計(jì)算機(jī)之間的通信則是通過計(jì)算機(jī)主板上的I/O總線以并行傳輸方式進(jìn)行。因此，網(wǎng)卡的一個(gè)重要功能就是要進(jìn)行串行/并行轉(zhuǎn)換。由于網(wǎng)絡(luò)上的數(shù)據(jù)率和計(jì)算機(jī)總線上的數(shù)據(jù)率并不相同，因此在網(wǎng)卡中裝有對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行緩存的存儲(chǔ)芯片。