晶圓傳片設(shè)備主要由潔凈大氣機(jī)械手、晶圓載物臺(tái)、晶圓對(duì)準(zhǔn)器、視覺系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、空氣過濾器組成一個(gè)高潔凈度的運(yùn)行空間，工廠自動(dòng)化系統(tǒng)調(diào)度天車將晶圓盒放在晶圓載物臺(tái)上，晶圓載物臺(tái)通過開盒裝置將晶圓盒打開，并將晶圓盒與設(shè)備的潔凈空間連通，晶圓載物臺(tái)在開盒時(shí)會(huì)掃描晶圓的位置并和工廠自動(dòng)化系統(tǒng)中的晶圓位置進(jìn)行校驗(yàn)，校驗(yàn)無(wú)誤后工廠自動(dòng)化系統(tǒng)會(huì)發(fā)送任務(wù)到晶圓傳片設(shè)備，晶圓傳片設(shè)備會(huì)根據(jù)任務(wù)來對(duì)傳片、缺口和圓心對(duì)準(zhǔn)、讀取ID、翻片、倒片等動(dòng)作進(jìn)行組合，任務(wù)結(jié)束后晶圓載物臺(tái)會(huì)掃描晶圓位置并關(guān)閉晶圓盒，工廠自動(dòng)化系統(tǒng)會(huì)調(diào)度天車將晶圓盒取走到下程。晶圓傳片設(shè)備的應(yīng)用可以使晶圓下線、傳片、翻片、出廠過程實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)化運(yùn)行，可以顯著提升晶圓制造的效率和良率。

內(nèi)圓切割時(shí)晶片表層損害層大，給CMP產(chǎn)生挺大黔削拋光工作中；刃口寬。材料損害大。品片出率低；成木高。生產(chǎn)效率低；每一次只有切割一片。當(dāng)晶圓直徑達(dá)到300mm時(shí)。內(nèi)圓刀頭外徑將達(dá)到1.18m。內(nèi)徑為410mm。在生產(chǎn)制造、安裝與調(diào)節(jié)上產(chǎn)生許多艱難。故后期主要發(fā)展趨勢(shì)線切別主導(dǎo)的晶圓切割技術(shù)。

硅圓片切割應(yīng)用的目的是將產(chǎn)量和合格率大，同時(shí)資產(chǎn)擁有的成本小?？墒?，挑戰(zhàn)是增加的產(chǎn)量經(jīng)常減少合格率，反之亦然。晶圓基板進(jìn)給到切割刀片的速度決定產(chǎn)出。隨著進(jìn)給速度增加，切割品質(zhì)變得更加難以維持在可接受的工藝窗口內(nèi)。進(jìn)給速度也影響刀片壽命。

在許多晶圓的切割期間經(jīng)常遇到的較窄跡道(street)寬度，要求將每一次切割放在跡道中心幾微米范圍內(nèi)的能力。這就要求使用具有高分度軸精度、高光學(xué)放大和對(duì)準(zhǔn)運(yùn)算的設(shè)備。當(dāng)用窄跡道切割晶圓時(shí)的一個(gè)常見的推薦是，選擇盡可能薄的刀片?？墒牵鼙〉牡镀?20μm)是非常脆弱的，更容易過早破裂和磨損。結(jié)果，其壽命期望和工藝穩(wěn)定性都比較厚的刀片差。對(duì)于50~76μm跡道的刀片推薦厚度應(yīng)該是20~30μm。

在切片或任何其它磨削過程中，在不超出可接受的切削質(zhì)量參數(shù)時(shí)，新一代的切片系統(tǒng)可以自動(dòng)監(jiān)測(cè)施加在刀片上的負(fù)載，或扭矩。對(duì)于每一套工藝參數(shù)，都有一個(gè)切片質(zhì)量下降和BSC出現(xiàn)的極限扭矩值。切削質(zhì)量與刀片基板相互作用力的相互關(guān)系，和其變量的測(cè)量使得可以決定工藝偏差和損傷的形成。工藝參數(shù)可以實(shí)時(shí)調(diào)整，使得不超過扭矩極限和獲得大的進(jìn)給速度。

一種全自動(dòng)晶圓劃片機(jī)，包括機(jī)架，機(jī)架的一側(cè)設(shè)置有激光器，激光器的下方設(shè)置有旋轉(zhuǎn)劃片工作臺(tái)，其特征在于：機(jī)架的另一側(cè)設(shè)置有自動(dòng)放收料裝置，自動(dòng)放收料裝置的旁側(cè)設(shè)置有理料機(jī)構(gòu)，自動(dòng)放收料裝置與理料機(jī)構(gòu)之間連接有夾料機(jī)械手，理料機(jī)構(gòu)與劃片工作臺(tái)之間設(shè)置有兩組相互錯(cuò)位的吸料機(jī)械手。