廈門回收功率MOS管 收購(gòu)500萬(wàn)像傳感器

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CGA2B3X8R1E153K050BE，MAX6035B，CQ0805CRNPOYBN9R0，NX139，ERJUP8F1023V，ISO5452QDWQ1，ERJS12D5620U，MC74H538ADR2G，LQW15CNR42K1Z，XCZU19EG-L2FBVB1517I，CY14V104LA-BA25XI，MMD830-C11，MP28259-A，ERG12SJ113，MAX3221EIPWRG4，74LVT245BBQ，PBSS5440D，ADV7535BCBZ-RL7，DTA114EKA，DFEG12060D-150M，OP747ARUZ，MCP100-270DI/TO，MSP430F5636IPZR，TMP87CM53FG，TUSB215QRGYTQ1，PW369，ERJUP8D16R0V，ERJ2RKF1373X，MOC3041TVM，C1005C0G1H330F050BA，AOT2502L，i5-5675C，ML62Q1574，ERJS08F3R57V，HF105F-1/120AT-1ZSTF，F(xiàn)DMA410NZ，SRGZS，LTC2311HMSE-12#PBF，LT1787HVIS8#PBF，EFR32MG12P231F1024GM68，ERJ12ZQGR91U，ERJL12UF71MU，EEEHD1E100AR，EP4SE530H40I4，GQM2195C2A6R2WB01#，ERG2SJ162，ERJU03J750V，BD30HC0MEFJ-M，HF13F/220-2H2TGDJ，ERJU1TD2873U

半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造，晶圓測(cè)試，芯片封裝和封裝后測(cè)試組成，晶圓制造和芯片封裝討論較多，而測(cè)試環(huán)節(jié)的相關(guān)知識(shí)經(jīng)常被邊緣化，下面集中介紹集成電路芯片測(cè)試的相關(guān)內(nèi)容，主要集中在WAT，CP和FT三個(gè)環(huán)節(jié)。集成電路設(shè)計(jì)、制造、封裝流程示意圖WAT（WaferAcceptanceTest）測(cè)試，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），對(duì)Wafer劃片槽（ScribeLine）測(cè)試鍵（TestKey）的測(cè)試，通過(guò)電性參數(shù)來(lái)監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定，CMOS的電容，電阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成制程前，是Wafer從Fab廠出貨到封測(cè)廠的依據(jù)，測(cè)試方法是用ProbeCard扎在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT測(cè)試機(jī)臺(tái)上，由WATRecipe自動(dòng)控制測(cè)試位置和內(nèi)容，測(cè)完某條TestKey后，ProbeCard會(huì)自動(dòng)移到下一條TestKey，直到整片Wafer測(cè)試完成。