江蘇漣水控制柜回收 江蘇漣水單晶爐回收
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DL-78型單晶爐的熱場(chǎng)和減壓工藝\1前言集成電路生產(chǎn)的發(fā)展一方面不斷縮小元件尺寸，以提高集成度；另一方面不斷擴(kuò)大硅片直徑以減少芯片的離故度和降低成本。相應(yīng)地，作為集成電路基礎(chǔ)材料的硅單晶生產(chǎn)也在不斷地提高其技術(shù)質(zhì)量指標(biāo)和增大單晶錠的直徑和長(zhǎng)度，以滿足電路的要求和降低自身的生產(chǎn)成本。在國(guó)外市場(chǎng)上，硅晶體直徑大致每4～5年增長(zhǎng)1時(shí)（25．4mm），相應(yīng)地，生產(chǎn)投料重也由1公斤逐漸發(fā)展為3～5公斤、8～12公斤、15～劉公斤和朋～6O公廳等幾個(gè)等級(jí)。在這發(fā)展中，有兩個(gè)條件是相輔相成、共同進(jìn)步的，這是單晶爐和拉晶工藝。藍(lán)寶石長(zhǎng)晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長(zhǎng)晶爐回收，多晶長(zhǎng)晶爐回收，臥式長(zhǎng)晶爐回收，拉式單晶爐、收購(gòu)直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計(jì)回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，為現(xiàn)有技術(shù)的切克勞斯基(直拉)法制造硅單晶的直拉式單晶生長(zhǎng) 爐的剖面結(jié)構(gòu)示意圖2為圖1中的輸入管與環(huán)形氣體分布器的結(jié)構(gòu)示意圖3為實(shí)施例1中直拉式單晶生長(zhǎng)爐的氣流導(dǎo)向裝置的結(jié)構(gòu)示意圖4為圖3的A-A剖面視圖5為為圖3的B-B剖面視圖6為實(shí)施例1中直拉式單晶生長(zhǎng)爐的剖面結(jié)構(gòu)示意圖7為實(shí)施例1中直拉式單晶生長(zhǎng)爐的另一剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

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其中,直接有效的方法是提高生產(chǎn)時(shí)效,增加單爐的月產(chǎn)能。筆者長(zhǎng)期從事單晶生產(chǎn)工作,經(jīng)調(diào)研與現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn),采用離線裝料技術(shù)不僅可以縮短運(yùn)行周期、提高工作效率,而且可以確保坩堝內(nèi)所裝硅料的潔凈度,具有較強(qiáng)的實(shí)用性和經(jīng)濟(jì)推廣價(jià)值。1離線裝料的工作原理使用一個(gè)真空吸盤(pán)和一個(gè)特制的密封圈與裝滿多晶硅原生料的石英坩堝密封,